2GB的DDR3 SDRAM q-die被組織成像一個16mbit x 16/ OS X 8庫存設(shè)備。這種同步裝置實現(xiàn)高速雙數(shù)據(jù)速率傳輸速率高達(dá)1866mb /sec/pin（ddr3-1866）一般用途。該芯片的設(shè)計符合以下關(guān)鍵DDR3 SDRAM CAS可編程等特點，張貼，CWL，內(nèi)部（自給）的校準(zhǔn)，終結(jié)使用ODT引腳和異步復(fù)位。所有的控制和地址輸入同步與一對外部提供的差分時鐘。輸入被鎖在了差分時鐘交叉點（對照上升和CK下降）。所有的I / O是一對雙向閃光燈同步（DQS和DQS）在源同步時尚。總線用于在RAS / CAS多路復(fù)用方式中傳送行、列和庫存地址信息。DDR3器件采用單1.35v（1.28v ~ 1.45v）或1.5V（1.425v ~ 1.575v）電源和1.35v（1.28v ~ 1.45v）或1.5V（1.425v ~ VDDQ 1.575v）。的2GB DDR3 q-die裝置在96balls FBGA是可用的(x16). 如有更好的建議，請多指教。QQ:3259054252 TEL：18820170705 劉生 歡迎交流〔深圳桑尼奇科技有限公司〕。
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